- 内置淬灭电阻（可选阻值：360 kΩ / 510 kΩ / 680 kΩ / 810 kΩ / 1MΩ）
- 针对1000 nm至1600 nm波长优化
- SMF-28 单模尾纤
- 10 针蝶形 Mini-Flat 封装
- 内置三级制冷系统
- 评估板与散热器（可选配件）
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参数 |
条件 |
额定值（最大） |
单位 |
|
正向电流 |
连续偏置 |
1 |
mA |
|
正向电压 |
连续偏置 |
1 |
V |
|
反向电流 |
连续偏置 |
1 |
mA |
|
反向电压 |
直流偏置（自由运行模式） |
VBR +5 |
V |
|
光输入功率 |
连续光 |
1 |
mW |
|
TEC电流 |
@27°C, 真空 |
2.6 |
A |
|
TEC电压 |
@27°C, 真空 |
2.0 |
V |
|
热敏电阻 |
@25°C |
10 |
kΩ |
|
存储温度 |
- |
-40 到 +85 |
℃ |
表1. 绝对最大额定值
产品交付时须附带检验单。测试报告应以纸质和电子介质形式提交。其应包含以下主要项目。
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参数 |
符号 |
测试条件 |
最小 |
典型值 |
最大 |
单位 |
|
击穿电压 |
VBR |
ID=0.1uA |
60 |
70 |
80 |
V |
|
总暗电流 |
ID |
VR= 0.95VBR |
|
1 |
|
㎁ |
|
电容 |
CPD |
f = 1MHz, VPD= 0.9VB |
|
0.1 |
|
㎊ |
|
量子效率 |
η |
M=1, 1550nm |
|
70 |
|
% |
|
光学波长范围 |
λ |
- |
1000 |
|
1600 |
nm |
|
响应度 |
R |
λ =1550nm，M=1 |
0.7 |
0.8 |
|
A/W |
|
VBR的温度系数 |
Γ |
ΔVBR/ΔT |
|
0.11 |
|
V/°C |
表2. 光电特性
|
参数 |
符号 |
测试条件 |
最小 |
典型值 |
最大 |
单位 |
|
光子探测效率 |
PDE |
Tc=-40°C |
10 |
|
|
% |
|
暗计数率 |
DCR |
@10% PDE Tc=-40°C |
|
|
10 |
KHz |
|
工作过电压 |
ΔV |
|
|
+2 |
|
V |
表3.盖革模式下的光电特性
带 TEC
的 NFAD（Mini-Flat 封装）
带 TEC
的 Mini-Flat 封装 NFAD，已安装在集成散热器外壳内的评估板上
