PD/APD

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日盲SiC 紫外雪崩光电二极管(UV APD)

日盲SiC 紫外雪崩光电二极管(UV APD)

日盲SiC紫外雪崩光电二极管与其他的APD相似,适用于紫外波段弱信号探测,具有非常高的灵敏度和信号增益。它的独特性在于其只对UV紫外波段响应。由于采用稳定的SiC基底,所以它的工作偏压比普通的APD要稍高一些,约180VDC。该UV APD可作为真空光电倍增管PMT的固态封装替代。除了只对UV波段响应这个特点外,SiC基底的APD还有另外两个优势,一是在较高能量紫外应用下的稳定性,二是高温的稳定性。

产品特点

  • 只对UV紫外波段响应
  • 工作偏压约180VDC
  • 在较高能量紫外应用下的稳定性
  • 高温的稳定性
  • 可作为真空光电倍增管PMT的固态封装替代

主要应用

  • 各种低能量UV探测
  • 火焰探测
  • UV光子计数
  • 低能量的紫外光监控
  • 作为PMT的稳定固态器件替换

参数

灵敏度

1nW/cm2

增益

105~106

工作偏压

~180VDC

APD尺寸

1.2mm2

封装

QNF-16(4mmx4mm),Pin11正极,Pin2负极

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