盖革模式雪崩光电二极管SAP系列

SAP500系列基于“穿透式”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声、暗电流和高增益。它们主要适用于超低光照度的应用。该APD可以在增益高达250或更大的情况下,在常规的线性模式(VRBR)下使用,也可以在“盖革”模式下使用。盖革模式的APD可以被偏置在击穿电压以上(VR>VBR),以实现对单光子的检测。由于量子效率的提升、磁场抗扰性、坚固性、更长的工作寿命、非常好的计时特性和成本的降低,同时该固态探测器能够在非低温下工作、并提供单光子检测能力,使其成为光电倍增管(PMT)最具吸引力的替代品。 

该APD被密封在改良的TO-46封装中,也可以选择封装在装配了一级TEC的TO-37封装中,或装配了两级TEC的TO-8封装中。这使得APD能够用于各种极高要求的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光探测和光子计数。

产品特点
  • 线性和盖革模式操作
  • 极高的量子效率
  • 极低的噪声
  • 500 μm直径光敏面
  • 多种制冷版本可选
  • 可提供光纤耦合版本
主要应用
  • LIDAR
  • 光谱学
  • 小信号荧光探测
  • 光子计数
  • 医学
参数

通用特性(@25°C)

        型号       

                                                              SAP500XX                                               

                                   


最小值

典型值

最大值

单位

波长范围

400


1100

nm

峰值灵敏度


700


nm


光学特性

        型号      

                                                                  SAP500XX                                             

                                  


最小值

典型值

最大值

单位

直径


500


μm

视场*


100


deg

*近似全角度的完全照亮的感光面。

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